今日热点！比利时德迪延续大满贯热潮 美国公开赛强势摘得T2

比利时德迪延续大满贯热潮 美国公开赛强势摘得T2

纽约州布鲁克林 - 比利时球手托马斯·德迪（Thomas Detry）延续了其在大满贯赛事的火热状态，在美国公开赛中强势摘得T2的优异成绩。这位29岁的球手在最后一轮比赛中打出67杆，以低于标准杆4杆的总成绩276杆结束了比赛，仅落后于冠军马特·菲茨帕特里克（Matt Fitzpatrick）2杆。

德迪的表现令人印象深刻，他在四轮比赛中总共抓到16只小鸟，仅有4个柏忌。他在最后一轮比赛中表现尤为出色，在前九洞就抓到5只小鸟，奠定了胜利的基础。

这一成绩对于德迪来说意义重大，这是他职业生涯中首次在大满贯赛事中获得前三名。这也是他自今年4月大师赛获得T8之后，连续第三次在大满贯赛事中获得前十名。

德迪的出色表现也为他赢得了高额的奖金，他将获得200万美元的奖金。

德迪赛后表示：“我不敢相信我竟然获得了美国公开赛的亚军。这对我来说太不可思议了。我一直在努力提高自己的水平，很高兴看到我的努力得到了回报。”

德迪的成功也为欧洲球手们注入了信心。在过去几年里，美国球手一直在大满贯赛事中占据主导地位，但德迪的表现表明，欧洲球手仍然有能力与他们竞争。

德迪的下一场比赛将是下个月的英国公开赛。他希望能够延续自己的良好状态，在自己的家乡赛事中取得好成绩。

以下是德迪在美国公开赛中的四轮成绩：

• 第一轮：68杆（-4）
• 第二轮：67杆（-5）
• 第三轮：70杆（-2）
• 第四轮：67杆（-5）

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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